(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTHD4102PT1G
Изображение служит лишь для справки
NTHD4102PT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Date Sheet
Lagernummer 7880
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：8
- Вес：4.535924g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.9A
- Количество элементов：2
- Время отключения：32 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：64MOhm
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
- Максимальная потеря мощности：1.1W
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：-7.3A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：NTHD4102P
- Число контактов：8
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.1W
- Время задержки включения：5.5 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：80m Ω @ 2.9A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：750pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.6nC @ 4.5V
- Время подъема：12ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：4.1A
- Пороговое напряжение：-1.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：-1.5 V
- Высота：1.1mm
- Длина：3.1mm
- Ширина：1.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 7880
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
