DMN6070SSD-13

Name: Diodes Incorporated DMN6070SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.8 (14 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Date Sheet

Lagernummer 110632

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：23 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：73.992255mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.5W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Нормативная Марка：AEC-Q101
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.5W
Время задержки включения：3.5 ns
Мощность - Макс：1.2W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：80m Ω @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：588pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.3nC @ 10V
Время подъема：4.1ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：5.9 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：4.95mm
Ширина：3.95mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 110632

Итого $0.00000