Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC1030UFDBQ-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-ap9050fdb7-4807.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMC1030UFDBQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
Date Sheet
Lagernummer 8278
- 1+: $0.70638
- 10+: $0.66640
- 100+: $0.62868
- 500+: $0.59309
- 1000+: $0.55952
Zwischensummenbetrag $0.70638
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:15 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности:1.36W
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Код JESD-30:S-PDSO-N6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Мощность - Макс:1.36W
- Тип ТРВ:N and P-Channel Complementary
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:34m Ω @ 4.6A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1003pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:23.1nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):12V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):5.1A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.034Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8278
- 1+: $0.70638
- 10+: $0.66640
- 100+: $0.62868
- 500+: $0.59309
- 1000+: $0.55952
Итого $0.70638