BSL215CH6327XTSA1

Name: Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (15 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
Date Sheet

Lagernummer 76066

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：500mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：500mW
Тип ТРВ：N and P-Channel Complementary
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140m Ω @ 1.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 3.7μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：143pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.73nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
Пороговое напряжение：-900μV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.14Ohm
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：9 pF
Высота：1.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 76066

Итого $0.00000