IRFB4227PBF

Name: Infineon Technologies IRFB4227PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (7 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 450

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：65A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：330W Tc
Время отключения：21 ns
Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2004
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：24MOhm
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：330W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：33 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：24m Ω @ 46A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：98nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：31 ns
Непрерывный ток стока (ID)：65A
Пороговое напряжение：5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Максимальный импульсный ток вывода：260A
Двухпитание напряжения：200V
Время восстановления：150 ns
Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
Номинальное Vgs：5 V
Высота：19.8mm
Длина：10.6426mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 450

Итого $0.00000