(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BUK9K8R7-40EX
Изображение служит лишь для справки
BUK9K8R7-40EX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
Date Sheet
Lagernummer 5432
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-1205, 8-LFPAK56
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：20.5 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchMOS™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：53W
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：8
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：53W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：10.8 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2110pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.7nC @ 5V
- Время подъема：19.8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Время падения (тип)：18.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：30A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：15V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0094Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 5432
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
