(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BUK9K5R6-30EX
Изображение служит лишь для справки
BUK9K5R6-30EX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
Date Sheet
Lagernummer 1029
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-1205, 8-LFPAK56
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：64W
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：64W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8m Ω @ 10A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2480pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22.6nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：40A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0058Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：305A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：169 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1029
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
