SI4900DY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (14 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 2093

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：186.993455mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：15 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI4900
Число контактов：8
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：15 ns
Мощность - Макс：3.1W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：58m Ω @ 4.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：665pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：65ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5.3A
Пороговое напряжение：2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.55mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2093

Итого $0.00000