Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NVMFD5C462NT1G
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-nrvhp820mfdwft1g-7299.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NVMFD5C462NT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
Date Sheet
Lagernummer 9034
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:48 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:17.6A Ta 70A Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2017
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:3.2W Ta 50W Tc
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.4m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1020pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:16nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Характеристика ТРП:Standard
Со склада 9034
Итого $0.00000