(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SISF20DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISF20DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® 1212-8SCD
- Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 44
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8SCD
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8SCD
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A Ta 52A Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：5.2W Ta 69.4W Tc
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1290pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 44
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
