(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NVMFD5C446NLT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFD5C446NLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
Date Sheet
Lagernummer 53
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：48 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A Ta 145A Tc
- Время отключения：34.9 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：2
- Время задержки включения：14.8 ns
- Мощность - Макс：3.5W Ta
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.65m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 90μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3170pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 4.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
- Характеристика ТРП：Standard
- Высота：1.1mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 53
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
