NTMD5838NLR2G

Name: ON Semiconductor NTMD5838NLR2G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：52 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：17 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：2.1W
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.1W
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：785pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：23ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：7.4A
Пороговое напряжение：1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальный импульсный ток вывода：35A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000