Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 16185

  • 1+: $1.78058
  • 10+: $1.67979
  • 100+: $1.58471
  • 500+: $1.49501
  • 1000+: $1.41039

Zwischensummenbetrag $1.78058

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:14 Weeks
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
  • Количество контактов:10
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A 28A
  • Количество элементов:2
  • Время отключения:40 ns
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Серия:TrenchFET®
  • Опубликовано:2013
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:6
  • Код ECCN:EAR99
  • Максимальная потеря мощности:100W
  • Основной номер части:SIZ918
  • Код JESD-30:R-PDSO-N6
  • Каналов количество:2
  • Конфигурация элемента:Dual
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN SOURCE
  • Мощность - Макс:29W 100W
  • Тип ТРВ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12m Ω @ 13.8A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:790pF @ 15V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:21nC @ 10V
  • Непрерывный ток стока (ID):28A
  • Пороговое напряжение:1.2V
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
  • Максимальный сливовой ток (ID):16A
  • Напряжение пробоя стока к истоку:30V
  • Максимальный импульсный ток вывода:50A
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):16 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:Logic Level Gate
  • Высота:750μm
  • Длина:6mm
  • Ширина:5mm
  • REACH SVHC:Unknown
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant

Со склада 16185

  • 1+: $1.78058
  • 10+: $1.67979
  • 100+: $1.58471
  • 500+: $1.49501
  • 1000+: $1.41039

Итого $1.78058