(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BUK7K6R8-40E,115
Изображение служит лишь для справки
BUK7K6R8-40E,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-1205, 8-LFPAK56
- MOSFET Transistor, Dual N Channel, 40 A, 40 V, 0.0058 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
Date Sheet
Lagernummer 518
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-1205, 8-LFPAK56
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：LFPAK56D
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A
- Количество элементов：2
- Время отключения：19.4 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：64W
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：64W
- Время задержки включения：8.9 ns
- Мощность - Макс：64W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.8mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1947pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28.9nC @ 10V
- Время подъема：15.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Время падения (тип)：16.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：40A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：40V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Входной ёмкости：1.947nF
- Характеристика ТРП：Standard
- Сопротивление стока к истоку：5.8mOhm
- Rds на макс.：6.8 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 518
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
