FDMS3660AS

Name: ON Semiconductor FDMS3660AS
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerTDFN
MOSFET COMPUTING MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 3003

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Вес：171mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A 30A
Количество элементов：2
Время отключения：38 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：2.5W
Форма вывода：FLAT
Код JESD-30：R-PDSO-F6
Конфигурация：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN SOURCE
Мощность - Макс：1W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.7V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2230pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
Время подъема：5ns
Время падения (тип)：5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Код JEDEC-95：MO-240AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：13A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：70 pF
Высота：1.1mm
Длина：5mm
Ширина：5.9mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 3003

Итого $0.00000