(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSM080D12P2C008
Изображение служит лишь для справки
BSM080D12P2C008
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- SIC POWER MODULE-1200V-80A
Date Sheet
Lagernummer 2110
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：25 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：10
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tray
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：600W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-XUFM-X8
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 13.2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V 1.2kV
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Максимальный импульсный ток вывода：160A
- Минимальная напряжённость разрушения：1200V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2110
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
