(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSM250D17P2E004
Изображение служит лишь для справки
BSM250D17P2E004
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Date Sheet
Lagernummer 703
- 1+： $845.30731
- 10+： $797.45972
- 100+： $752.32049
- 500+： $709.73631
- 1000+： $669.56256
Zwischensummenbetrag $845.30731
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：25 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250A Tc
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：1800W Tc
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Half Bridge)
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 66mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：30000pF @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1700V 1.7kV
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 703
- 1+： $845.30731
- 10+： $797.45972
- 100+： $752.32049
- 500+： $709.73631
- 1000+： $669.56256
Итого $845.30731
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
