Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISA14DN-T1-GE3

Изображение служит лишь для справки






SISA14DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8
- MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
Date Sheet
Lagernummer 17496
- 1+: $0.37065
- 10+: $0.34967
- 100+: $0.32988
- 500+: $0.31121
- 1000+: $0.29359
Zwischensummenbetrag $0.37065
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® 1212-8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:20A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.57W Ta 26.5W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2016
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:5.1mOhm
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Код JESD-30:S-PDSO-C5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.1m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1450pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:29nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):+20V, -16V
- Непрерывный ток стока (ID):20A
- Максимальный импульсный ток вывода:80A
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):11.25 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 17496
- 1+: $0.37065
- 10+: $0.34967
- 100+: $0.32988
- 500+: $0.31121
- 1000+: $0.29359
Итого $0.37065