FQD2N60CTM

Name: ON Semiconductor FQD2N60CTM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (5 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 6550

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 44W Tc
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：1.9A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Напряжение：650V
Конфигурация элемента：Single
Текущий：18A
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：9 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.7 Ω @ 950mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：235pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：25ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：28 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.9A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6550

Итого $0.00000