Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN55D0UT-7
Изображение служит лишь для справки
DMN55D0UT-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-523
- MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-523
- Number of Pins：3
- Weight：7.994566mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：160mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200mW Ta
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：200mW
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4 Ω @ 100mA, 4V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：25pF @ 10V
- Vgs (Max)：±12V
- Continuous Drain Current (ID)：160mA
- Threshold Voltage：800mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain-source On Resistance-Max：4Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：50V
- Height：750μm
- Length：1.6mm
- Width：800μm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты