Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVN4306GTA
Изображение служит лишь для справки
ZVN4306GTA
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET N-Chnl 60V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Weight：7.994566mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3W Ta
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：no
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：330mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：2.1A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：4
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：330m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350pF @ 25V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：16 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.1A
- Threshold Voltage：1.3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Height：1.65mm
- Length：6.7mm
- Width：3.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты