(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK9Y4R8-60E,115
Изображение служит лишь для справки
BUK9Y4R8-60E,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-100, SOT-669
- NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 100A, LFPAK
Date Sheet
Lagernummer 16900
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-100, SOT-669
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：238W Tc
- Время отключения：80 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：4
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：238W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：28 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.1m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7853pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 5V
- Время подъема：53ns
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Время падения (тип)：47 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：100A
- Код JEDEC-95：MO-235
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：60V
- Максимальный импульсный ток вывода：593A
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 16900
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
