(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ422EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ422EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Date Sheet
Lagernummer 11322
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Количество контактов：6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：74A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：83W Tc
- Время отключения：29 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：83W
- Время задержки включения：13 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.4m Ω @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4660pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：100nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：75A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 11322
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
