TP5335K1-G

Name: Microchip Technology TP5335K1-G
Brand: Microchip Technology
Rating: 5 (10 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mosfet, P-channel Enhancement-mode, -350V, 30 Ohm 3 SOT-23 1.3MM T/r
Date Sheet

Lagernummer 90

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：85mA Tj
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：360mW Ta
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Квалификационный Статус：Not Qualified
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：360mW
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30 Ω @ 200mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：110pF @ 25V
Время подъема：15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：350V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-85mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.085A
Напряжение пробоя стока к истоку：-350V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：22 pF
Высота：1.12mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 90

Итого $0.00000