Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD86567-F085

Изображение служит лишь для справки






FDD86567-F085
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 6360000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:38 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Вес:260.37mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Производитель идентификатор упаковки:MKT-TO252A03REV11
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:227W Tj
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:227W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.2m Ω @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4950pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:82nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):100A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0032Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):115 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 6360000
Итого $0.00000