SI2312BDS-T1-E3

Name: Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VISHAY SILICONIX SI2312BDS-T1-E3 MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.025OHM, 3.9A, SOT-23-3, FULL REEL
Date Sheet

Lagernummer 15122

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：750mW Ta
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：31mOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：750mW
Время задержки включения：9 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：31m Ω @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：850mV @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 4.5V
Время подъема：30ns
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Пороговое напряжение：850mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Двухпитание напряжения：20V
Номинальное Vgs：450 mV
Высота：1.016mm
Длина：3.0226mm
Ширина：1.397mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 15122

Итого $0.00000