(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTI200WX75GD-SMD
Изображение служит лишь для справки
MTI200WX75GD-SMD
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- ISOPLUS-DIL™
- IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：ISOPLUS-DIL™
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：255A Tc
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：24
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN OVER NICKEL
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G24
- Конфигурация：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.3m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 275μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14400pF @ 38V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：155nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：75V
- Максимальный сливовой ток (ID)：255A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0013Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：75V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 38
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
