(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FMM50-025TF
Изображение служит лишь для справки
FMM50-025TF
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- i4-Pac™-5
- MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC
Date Sheet
Lagernummer 47
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：i4-Pac™-5
- Количество контактов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HiPerFET™
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности：125W
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：FMM
- Число контактов：5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：125W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：78nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250V
- Непрерывный ток стока (ID)：30A
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 47
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
