Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FMM22-06PF
![](https://static.whisyee.com/cimg/ixys-fmm2206pf-4930.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FMM22-06PF
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- i4-Pac™-5
- MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12A
Date Sheet
Lagernummer 339
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:30 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:i4-Pac™-5
- Количество контактов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:HiPerFET™, PolarHT™
- Опубликовано:2008
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности:130W
- Положение терминала:SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:FMM
- Число контактов:5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:130W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:350m Ω @ 11A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:58nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Непрерывный ток стока (ID):12A
- Максимальный импульсный ток вывода:66A
- Минимальная напряжённость разрушения:600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1000 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 339
Итого $0.00000