APTM20DUM08TG

Name: Microsemi Corporation APTM20DUM08TG
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.5 (10 reviews)

Microsemi Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SP4
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 20-Pin Case SP-4
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Срок поставки от производителя：36 Weeks
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SP4
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：88 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：12
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE ENERGY RATED
Максимальная потеря мощности：781W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Число контактов：12
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：781W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：32 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 104A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：280nC @ 10V
Время подъема：64ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Время падения (тип)：116 ns
Непрерывный ток стока (ID)：208A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.01Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：3000 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000