Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS6986AS_SN00192
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDS6986AS_SN00192
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.5A 7.9A
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®, SyncFET™
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:900mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:29m Ω @ 6.5A, 10V, 20m Ω @ 7.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA, 3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:720pF @ 10V 550pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9nC @ 5V, 8nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000