(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EFC6602R-TR
Изображение служит лишь для справки
EFC6602R-TR
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFBGA, FCBGA
- Trans MOSFET N-CH 6-Pin EFCP T/R
Date Sheet
Lagernummer 280
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFBGA, FCBGA
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：2W
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Без галогенов：Halogen Free
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：55nC @ 4.5V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 280
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
