Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMC3016LDV-7
![](https://static.whisyee.com/fimg/diodesincorporated-dmc3016ldv7-1258.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMC3016LDV-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
Date Sheet
Lagernummer 8042066
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:21 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A Tc 15A Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2016
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:900mW Ta
- Тип ТРВ:N and P-Channel Complementary
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12m Ω @ 7A, 10V, 25m Ω @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1184pF @ 15V 1188pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8042066
Итого $0.00000