Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы CTLDM8120-M832DS BK
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
CTLDM8120-M832DS BK
-
Central Semiconductor Corp
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TDFN Exposed Pad
- MOSFET DUAL N-CHANNEL
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-TDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:860mA Ta
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:1.65W
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:150m Ω @ 950mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:200pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:3.56nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Характеристика ТРП:Standard
Со склада 0
Итого $0.00000