(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA1981TE-T1-A
Изображение служит лишь для справки
UPA1981TE-T1-A
Lagernummer 32424
- 1+： $0.24559
- 10+： $0.23169
- 100+： $0.21858
- 500+： $0.20620
- 1000+： $0.19453
Zwischensummenbetrag $0.24559
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.8A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.07Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1W
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 32424
- 1+： $0.24559
- 10+： $0.23169
- 100+： $0.21858
- 500+： $0.20620
- 1000+： $0.19453
Итого $0.24559
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
