Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы AON6912ALS_102
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
AON6912ALS_102
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A Ta 34A Tc 13.8A Ta 52A Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:1.9W Ta 22W Tc 2.1W Ta 30W Tc
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13.7m Ω @ 10A, 10V, 7.3m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:910pF @ 15V 1300pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:17nC @ 10V, 20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000