(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDG6304P-F169
Изображение служит лишь для справки
FDG6304P-F169
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- INTEGRATED CIRCUIT
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：410mA Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Опубликовано：1999
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Мощность - Макс：300mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.1 Ω @ 410mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：62pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
