Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы KGF6N05D-400
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
KGF6N05D-400
-
Renesas Electronics America Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 20-UFLGA, CSP
- IC MOSFET N-CH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:20-UFLGA, CSP
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:2.5W Ta
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3m Ω @ 6A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:0.9V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:630pF @ 5.5V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:4nC @ 3.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):5.5V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000