(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы AON5802BL
Изображение служит лишь для справки
AON5802BL
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-VFDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
Date Sheet
Lagernummer 17700
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VFDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.2A Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：1.6W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19m Ω @ 7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1150pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：7.2A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.6W
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 17700
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
