NVTFS5116PLTAG

Name: ON Semiconductor NVTFS5116PLTAG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (12 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerWDFN
MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
Date Sheet

Lagernummer 36000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：18 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.2W Ta 21W Tc
Время отключения：24 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-F5
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：21W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：14 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1258pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 10V
Время подъема：68ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：36 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6A
Пороговое напряжение：-3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Сопротивление открытого канала-макс：0.072Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 36000

Итого $0.00000