Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CSD25303W1015
Изображение служит лишь для справки
CSD25303W1015
-
Texas Instruments
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UFBGA, DSBGA
- MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Date Sheet
Lagernummer 6560
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-UFBGA, DSBGA
- Number of Pins：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：11.3 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：NexFET™
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：BALL
- Base Part Number：CSD25303
- Pin Count：6
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.5W
- Turn On Delay Time：3.9 ns
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：58m Ω @ 1.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：435pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4.3nC @ 4.5V
- Rise Time：8.6ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：7.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3A
- Drain-source On Resistance-Max：0.092Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Contains Lead
Со склада 6560
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты