Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB031N08N5ATMA1

Изображение служит лишь для справки






IPB031N08N5ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 80V TO263-3
Date Sheet
Lagernummer 15000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Вес:3.949996g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:120A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:167W Tc
- Время отключения:37 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:OptiMOS™
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:18 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.1m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.8V @ 108μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6240pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:87nC @ 10V
- Время подъема:18ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):12 ns
- Непрерывный ток стока (ID):120A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:80V
- Максимальный импульсный ток вывода:480A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 15000
Итого $0.00000