AUIRFR5305

Name: Infineon Technologies AUIRFR5305
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 32365

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Время отключения：39 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：65MOhm
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：14 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63nC @ 10V
Время подъема：66ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：63 ns
Непрерывный ток стока (ID)：31A
Пороговое напряжение：-2V
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：-55V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：280 mJ
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32365

Итого $0.00000