FDP20N50

Name: ON Semiconductor FDP20N50
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (19 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet

Lagernummer 1

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：9 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：250W Tc
Время отключения：100 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：UniFET™
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：230MOhm
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250W
Время задержки включения：95 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：230m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3120pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：59.5nC @ 10V
Время подъема：375ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：105 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Пороговое напряжение：5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：80A
Высота：9.4mm
Длина：10.1mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1

Итого $0.00000