IRFB52N15DPBF

Name: Infineon Technologies IRFB52N15DPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：51A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 230W Tc
Время отключения：28 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2002
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：32Ohm
Ток постоянного напряжения - номинальный：150V
Моментальный ток：51A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：320W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：32m Ω @ 36A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2770pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：89nC @ 10V
Время подъема：47ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：60A
Пороговое напряжение：5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：150V
Максимальный импульсный ток вывода：240A
Двухпитание напряжения：150V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：470 mJ
Время восстановления：210 ns
Номинальное Vgs：5 V
Высота：16.51mm
Длина：10.66mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1000

Итого $0.00000