SI5419DU-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI5419DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (11 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V
Date Sheet

Lagernummer 14401

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：40 ns
Максимальная мощность рассеяния：3.1W Ta 31W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A Tc
Опубликовано：2014
Серия：TrenchFET®
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：20MOhm
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Код JESD-30：R-XDSO-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.1W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20m Ω @ 6.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：12 ns
Непрерывный ток стока (ID)：9.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：40A
Ширина：1.9mm
Длина：3mm
Высота：750μm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 14401

Итого $0.00000