(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPT65R033G7XTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPT65R033G7XTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8
Date Sheet
Lagernummer 25
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Производитель идентификатор упаковки：PG-HSOF-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：69A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：391W Tc
- Время отключения：85 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：CoolMOS™ C7
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：1
- Распад мощности：391W
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：33m Ω @ 28.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1.44mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5000pF @ 400V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：69A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：650V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Высота：2.4mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 25
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
