Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NDUL03N150CG
Изображение служит лишь для справки
NDUL03N150CG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-3PL
- MOSFET Pwr MOSFET 1500V 25A 10.5Ohm N-CH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：24 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3PL
- Number of Pins：3
- Weight：6.961991g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3W Ta 50W Tc
- Turn Off Delay Time：140 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：3W
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10.5 Ω @ 1.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：650pF @ 30V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：24ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1500V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：47 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：5A
- Height：5.5mm
- Length：43.8mm
- Width：15.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты