Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 187

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:16 Weeks
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
  • Количество контактов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:48A Ta 50A Tc
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 10V
  • Количество элементов:1
  • Максимальная мощность рассеяния:6.2W Ta 83.3W Tc
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Серия:AlphaMOS
  • Опубликовано:2011
  • Состояние изделия:Not For New Designs
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:5
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:NO LEAD
  • Код JESD-30:S-PDSO-N5
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.8m Ω @ 20A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:1.2V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4175pF @ 15V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:105nC @ 10V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):30V
  • Угол настройки (макс.):±12V
  • Непрерывный ток стока (ID):50A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0031Ohm
  • Максимальный импульсный ток вывода:200A
  • Минимальная напряжённость разрушения:30V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):90 mJ
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant

Со склада 187

Итого $0.00000