FQP12P20

Name: ON Semiconductor FQP12P20
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 616

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：120W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：470MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：-200V
Моментальный ток：-11.5A
Пitched Lead：2.54mm
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：120W
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：470m Ω @ 5.75A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
Время подъема：195ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：60 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11.5A
Пороговое напряжение：-5V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：-200V
Максимальный импульсный ток вывода：46A
Двухпитание напряжения：-200V
Номинальное Vgs：-5 V
Высота：9.4mm
Длина：10.1mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 616

Итого $0.00000